在本文中任命：Siconductor SIC JFET*具有出色RD（ON）的性能，特别适合高电流管理
预约：具有顶级RDS的SIC JFET半导体（ON）*该性能特别适合需要高电流管理功能和较低开关速度的应用，例如固态解散者和高电流切换系统。碳化硅（SIC）的出色材料特性以及JFET的有效构造，低电阻性和改善的热性能使它们非常适合与有效施用高电流负载并行连接的多个设备的应用。 SIC组合JFET技术在通常需要硅SOSFET（SI）中的SIC组合JFET技术的一般描述可以串联使用，以使用开放式硅碳化物JFET（SIC）来创建cascode结构。在这种配置中，JFET SIC负责处理高压，而SI MOSFET提供了一些功能。这种组合利用了SIC JFET的高性能和SI MOSFET的易于控制。在半组合中，包装中低压的JFETS Integran SIC JFET和MOSFET是肯定的，以提供高性能的恒定特征，同时满足较小的需求。此外，通过各种门单元配置，JFET组合还提供了诸如与门单元的兼容性，可靠且简单的速度控制，使用具有5 V阈值的硅设备。产品说明JFE组合Integra SIC JFET和MOSFET如果包装中的低压。可以使用SICJFET门和低压MOSFET。图1组合JFET结构组合JFET具有多个优点，因为MOSFET JFET和低压门可用。这些优点包括在OverMarchano期间的RDS（ON）降低，通过JFET门电阻调节开关速度，并监视JFE连接温度，测量从门源的电压下降。半Sic Combot JFET产品系列表1和图2显示了JFET组合产品和可用包装。表1 cOMBO JFET产品列表图2 JFET组合软件包和方案和优势组合组合半thic JFET表2提供了JFET组合组合半SIC JFETRESUME设备的功能。 RDS（ON），最大电流（IDM）和RθJC（外壳节点的热电阻）。 DV/DT可控性对于电路保护和多个应用很重要。以750V 5MOHM TOLL（UG4SC075005L8S）设备为例，评估其静态性能和动态性能。表3中显示了静态特性。半导体中的高级SIC JFET技术在市场上实现了电性能和Termupper神话。 Tabla 3 Los Principalesparámetrosde los jfet Semi-cobo en los jfet Sembo sembo tienen prediedades bajas（encendido），idm altas al bajas y bajas prediedades de Comentence de colistenciatérmica。 Bajo rds（ON）：Los Dispositivos JFET EN半combo用户tecnologíasic jfet，Reduciendo ighuciendo rideativamente rds（áreapor unidaddeárea（rds a）Ible y可配置的外部（SIC Combo FET）Para Lograr laoperación正常de Off。 de la Interfaz seis veces enComparaciónConLaMayoríaDelos soldadura，Ayuda a Mantener la Misisma o baja o baja o baja de troqueles droqueles droqueles ent troqueles entama?osdeesdiestesmásbajosba yuda y ayuda y ayuda y ayuda a mantener una unaa unaa unaa unaa una una unaa cuna unasásbajabaja baja。电缆等。图5组合JFET单元模式：D Modee高功率开关除了上述两种控制方法，即Cuasi代码（左）和用于应用程序的直接单元（右）模式，我们还使用夹具单元开发和建议。或者，使用最简单的门控制方法使用JFET门的单个电阻来调整开关速度。有关更多信息，请参见图4。图6。如何控制JFET组合在切换MO中de（左：JFET门的恒定电阻，右：夹具单元）在半模式JFET组合中的结论具有非常低的RDS和可控的开关速度，从而允许电路电路的出色效率和功率密度，从而允许高功率开关速度应用。它还具有功率周期性能（可靠性和有用寿命），即硅硅设备。这不仅仅是双人。
